Samsung разрабатывает 45-нм двухэтажную флэш-память MLC NAND плотностью 4-Гбит

На конференции ISSCC 2008 группа Samsung Electronics представила свою очередную разработку в области флэш-памяти - 45-нм чип плотностью 4 Гбит, ячейки которого сформированы в виде объемной, двухслойной структуры.

Ячейки имеют структуру с плавающим затвором, в которой применяется методика MLC (2-bit-per-cell). Площадь ячейки равна 0,0021 кв.мкм , что, по словам компании, является минимальным значением на нынешний день.

Чтобы сотворить "двухэтажные" MLC-чипы высокой плотности, специалистам Samsung понадобилось спроектировать немного сопутствующих технологий. Во-первых, это касается структуры, получившей наименование "общая граница разряда" (Shared Bitline), которая позволяет верхнему и нижнему слою ячеек применять совместно коммутатор линии выборки бита и страничный буфер.

Коммутаторы и буферы расположены в том же кристалле монолитного кремния, что и нижний слой ячеек, но они обслуживают по две ячейки. Это позволило избежать увеличения площади чипа. Декодеры линий, адресующих слова, выполнены в прототипе изделия раздельно для ячеек верхнего и нижнего слоя, чтобы избежать помех при записи и чтении информации. Помимо того, параметры записи, такие, как уровни напряжения и число импульсов для верхнего и нижнего массива ячеек различаются, потому что ячейки разных слоев имеют разные пороговые характеристики.

Как утверждается, прототип обеспечивает запись со скоростью 2,5 Мбит/с.

Источник: TechOn!

http://techon.nikkeibp.co.jp/english/NEWS_EN/20080208/147232/

Keywords: