Innovative Silicon говорит о прорыве в Z-RAM, позволившем радикально повысить плотность и снизить стоимость памяти

Компания Innovative Silicon, разработавшая технологию Z-RAM, назвала новое поколение своей памяти "технологическим прорывом".

В течение многих лет, компании по всему миру бьются над коммерциализацией концепции памяти с "плавающим телом", которая сулит возможность изготовления ячейки памяти на всего одном транзисторе, что обеспечило бы самую высокую плотность и быстродействие. Память Z-RAM, как и другие разработки в этом ряду, использует ячейки на одном транзисторе, изготавливаемом по технологии SOI (silicon-on-insulator). Суть прорыва заключается в том, что новая ячейка Z-RAM работает по принципу, фундаментально отличающемуся от принципа работы других типов памяти с "плавающим телом". Она включает не только MOS-транзистор, как обычно, но и внутренний биполярный транзистор, присутствующий во всех структурах SOI MOS.

В результате, как утверждается, новая ячейка превосходит обычные во всех отношениях: по скорости, энергопотреблению, времени хранения и простоте изготовления. Улучшены операции чтения и записи. Запись улучшена за счет увеличения количества сохраняемого заряда, а чтение - за счет повышенной чувствительности, являющейся результатом лучших характеристик усиления, свойственных биполярному транзистору.

Существенные улучшения всех основных параметров памяти позволяют компании говорить о Z-RAM, как первой "коммерчески значимой" памяти, ячейка которой построена на одном транзисторе.

Источник: Innovative Silicon

Keywords: